扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业，对所加工的硅

片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。

扩散炉技术指标：

可处理硅片尺寸：2—12英寸

外型形式：卧式1—4管结构

工作温度：200℃—1300℃

恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃

单点温度稳定性、重复性：≤±1℃／24h

温度斜变：可控升温速率15℃／min

可控降温速率：5℃／min

送片装置：手动推拉

气路系统：1—5路工艺气体／管

气体控制：手动浮子流量计

控制方式：程控